维安MOS管

深圳市联大实业有限公司/深圳市群方电子有限公司



长园维安一家国内上市公司，拥有英飞凌的技术，散热好，内阻低，温升好，性价比高的一

款国内较具影响力的MOS原厂

1.通态阻抗小，通态损耗小。

由于SJ-MOS的Rdson远远低于VDMOS，在系统电源类产品中SJ-MOS的导通损耗必然较之VDMOS要减少的多。其大大提高了系统产品上面的单体MOSFET的导通损耗，提高了系统产品的效率，SJ-MOS的这个优点在大功率、大电流类的电源产品产品上，优势表现的尤为**。



同等功率规格下封装小，有利于功率密度的提高。

首先，同等电流以及电压规格条件下，SJ-MOS的晶源面积要小于VDMOS工艺的晶源面积，这样作为MOS的厂家，对于同一规格的产品，可以封装出来体积相对较小的产品，有利于电源系统功率密度的提高。

其次，由于SJ-MOS的导通损耗的降低从而降低了电源类产品的损耗，因为这些损耗都是以热量的形式散发出去，我们在实际中往往会增加散热器来降低MOS单体的温升，使其保证在合适的温度范围内。由于SJ-MOS可以有效的减少发热量，减小了散热器的体积，对于一些功率稍低的电源，甚至使用SJ-MOS后可以将散热器彻底拿掉。有效的提高了系统电源类产品的功率密度。



栅电荷小，对电路的驱动能力要求降低。

传统VDMOS的栅电荷相对较大，我们在实际应用中经常会遇到由于IC的驱动能力不足造成的温升问题，部分产品在电路设计中为了增加IC的驱动能力，确保MOSFET的快速导通，我们不得不增加推挽或其它类型的驱动电路，从而增加了电路的复杂性。SJ-MOS的栅电容相对比较小，这样就可以降低其对驱动能力的要求，提高了系统产品的可靠性。



2.节电容小，开关速度加快，开关损耗小。

由于SJ-MOS结构的改变，其输出的节电容也有较大的降低，从而降低了其导通及关断过程中的损耗。同时由于SJ-MOS栅电容也有了响应的减小，电容充电时间变短，大大的提高了SJ-MOS的开关速度。对于频率固定的电源来说，可以有效的降低其开通及关断损耗。提高整个电源系统的效率。这一点尤其在频率相对较高的电源上，效果更加明显




【承诺】：本公司商品是**原厂正品，环保产品 ! 量多更加优惠！！

*所有与器件一律原装，**现货，长期供应，欢迎前来订购





****深圳群方电子有限公司真诚为您服务！*** *







````热情为世界各地用户及厂家提供各种电子元器件的配套服务!!````



**：由于型号较多不能在网上一一上传，如有找不到的请联我：** 



WMJ26N65FD
WMO10N80M3
WML26N65C4
WMJ28N60C4
WMB128N10T2
WMK161N15T2
WMK161N15T2
WML11N60C2
WMO26N60C4
WMO28N10T1
WMO14N65C4
WMO14N65C4
WML28N60C4
WMJ36N60F2
WMK166N10T2
WMO26N60C4
WMJ25N80M3
WMJ26N60C4
WMK037N08HG2
WMO14N65C2
WMK340N20HG2
WMF04N65C2
WMJ28N60C4
WMK340N20HG2
WMK26N65FD
WMJ28N65C4
WMJ36N65C4
WML28N65C4
LM130F
LM130F
WML14N65C4
WMO14N70C2
WMO11N65C2
WML14N65C4
WMO26N60C4
WMJ38N65C2